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開關頻率很高的現(xiàn)代功率半導體器件易受潛在的損害性電壓尖峰脈沖的影響?？缃釉诠β拾雽w器件兩端的浪涌電壓保護電容器（如EPCOSB32620-J或B32651..56）通過吸收電壓脈沖限制了峰值電壓，從而對半導體器件起到了保護作用，使得浪涌電壓保護電容器成為功率元件庫中的重要一員。

半導體器件的額定電壓和電流值及其開關頻率左右著浪涌電壓保護電容器的選擇。由于這些電容器承受著很陡的DV/DT值，因此，對于這種應用而言，薄膜電容器是恰當之選。